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SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.6
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
13.9
14.7
写入速度,GB/s
9.6
6.9
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2461
2231
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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