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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
36
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
32
读取速度,GB/s
15.0
15.7
写入速度,GB/s
10.1
11.0
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2528
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
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