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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 3% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
37
读取速度,GB/s
15.0
16.3
写入速度,GB/s
10.1
11.1
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
3294
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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