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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
30
读取速度,GB/s
15.0
17.3
写入速度,GB/s
10.1
12.0
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2190
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB RAM的比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
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