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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
36
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
32
读取速度,GB/s
15.0
16.1
写入速度,GB/s
10.1
12.3
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2902
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
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