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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
36
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
26
读取速度,GB/s
15.0
17.9
写入速度,GB/s
10.1
14.7
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
3705
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
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