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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
35
读取速度,GB/s
15.0
16.2
写入速度,GB/s
10.1
13.2
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
3299
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
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