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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
29
读取速度,GB/s
15.0
16.6
写入速度,GB/s
10.1
13.4
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
3023
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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