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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
36
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
32
读取速度,GB/s
15.0
15.7
写入速度,GB/s
10.1
11.6
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2779
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
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