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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
36
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
24
读取速度,GB/s
15.0
17.1
写入速度,GB/s
10.1
13.6
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
3079
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
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