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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
27
读取速度,GB/s
15.0
17.8
写入速度,GB/s
10.1
13.2
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
3337
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
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