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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
14.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
38
读取速度,GB/s
15.0
14.4
写入速度,GB/s
10.1
11.5
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2856
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
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