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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
36
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
32
读取速度,GB/s
15.0
16.3
写入速度,GB/s
10.1
12.7
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2999
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Inmos + 256MB
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Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
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