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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
29
读取速度,GB/s
15.0
18.9
写入速度,GB/s
10.1
15.3
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
3708
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
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