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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.3
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
25
读取速度,GB/s
15.0
17.4
写入速度,GB/s
10.1
18.3
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
3731
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
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