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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
36
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
22
读取速度,GB/s
15.0
17.2
写入速度,GB/s
10.1
13.0
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
3007
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
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