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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
42
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.0
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
42
读取速度,GB/s
15.0
14.3
写入速度,GB/s
10.1
11.0
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2074
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
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