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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
49
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.1
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
49
读取速度,GB/s
15.0
17.1
写入速度,GB/s
10.1
10.7
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2668
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
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