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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
39
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
39
读取速度,GB/s
15.0
16.1
写入速度,GB/s
10.1
11.9
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2782
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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