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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
54
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
54
读取速度,GB/s
15.0
15.2
写入速度,GB/s
10.1
14.3
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2938
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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