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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
33
读取速度,GB/s
15.0
16.0
写入速度,GB/s
10.1
12.1
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2947
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
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V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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