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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
53
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
53
读取速度,GB/s
15.0
10.4
写入速度,GB/s
10.1
7.8
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2333
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
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