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SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
比较
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
15.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
35
读取速度,GB/s
15.1
15.2
写入速度,GB/s
11.5
10.7
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2814
2773
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB RAM的比较
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Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
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Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
INTENSO 5641162 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
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