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SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

总分
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SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

总分
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 38
    左右 5% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.4 left arrow 13.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.5 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 19200
    左右 1.11% 更高的带宽
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
报告一个错误

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    36 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    15.4 left arrow 13.8
  • 写入速度，GB/s
    11.5 left arrow 10.1
  • 内存带宽，mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2320 left arrow 2363

SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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内存RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
内存RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
内存RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
内存RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
内存RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
内存RAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
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