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SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
比较
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
总分
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
36
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
11.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
34
读取速度,GB/s
15.4
15.7
写入速度,GB/s
11.5
11.9
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2320
2803
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB RAM的比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
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