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SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
比较
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
总分
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
总分
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
55
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
12.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
55
34
读取速度,GB/s
16.0
16.6
写入速度,GB/s
12.9
15.2
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2699
3477
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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