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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

总分
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

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Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    39 left arrow 48
    左右 -23% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.5 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.6 left arrow 7.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    48 left arrow 39
  • 读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 17.5
  • 写入速度，GB/s
    7.0 left arrow 10.6
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1955 left arrow 2600

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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
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内存RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
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内存RAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
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内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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内存RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
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内存RAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Kingston 9965662-015.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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