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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
比较
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
总分
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
差异
规格
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差异
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
48
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
36
读取速度,GB/s
10.1
15.5
写入速度,GB/s
7.0
11.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1955
2734
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
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Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
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