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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
比较
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
总分
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
总分
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
51
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
24
读取速度,GB/s
9.8
16.1
写入速度,GB/s
8.2
12.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2182
2860
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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