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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
比较
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
总分
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
51
左右 -89% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
27
读取速度,GB/s
9.8
17.1
写入速度,GB/s
8.2
13.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2182
3350
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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