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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
比较
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
总分
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
总分
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
51
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
40
读取速度,GB/s
9.8
15.6
写入速度,GB/s
8.2
12.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2182
2772
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
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Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-4GSR 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
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