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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB

总分
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

总分
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 51
    左右 -122% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.8 left arrow 9.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.8 left arrow 8.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    51 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    9.8 left arrow 16.8
  • 写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 11.8
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2182 left arrow 2851

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
内存RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
内存RAM
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
内存RAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
内存RAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
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内存RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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内存RAM