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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
比较
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
总分
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
9.8
12.6
写入速度,GB/s
8.2
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2182
2759
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
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