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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
比较
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
总分
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
9.8
15.4
写入速度,GB/s
8.2
10.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2182
2892
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
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