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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
比较
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
总分
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
51
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.1
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
40
读取速度,GB/s
9.8
13.1
写入速度,GB/s
8.2
9.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2182
2204
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
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