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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
比较
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
总分
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
51
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
39
读取速度,GB/s
9.8
14.4
写入速度,GB/s
8.2
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2182
1966
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
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