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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
71
左右 42% 更低的延时
需要考虑的原因
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
71
读取速度,GB/s
11.6
15.4
写入速度,GB/s
7.3
8.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
1916
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
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