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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
41
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
34
读取速度,GB/s
11.6
16.1
写入速度,GB/s
7.3
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3415
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
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Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
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