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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
11.6
14.2
写入速度,GB/s
7.3
11.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2933
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology ADOVF1A083FE 1GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
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