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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
11.6
20.0
写入速度,GB/s
7.3
15.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3713
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
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