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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
11.6
15.8
写入速度,GB/s
7.3
12.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2935
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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