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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
41
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
22
读取速度,GB/s
11.6
17.5
写入速度,GB/s
7.3
11.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2748
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
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