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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
11.6
18.8
写入速度,GB/s
7.3
15.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3666
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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