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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
11.6
16.5
写入速度,GB/s
7.3
12.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2891
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
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SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
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