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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
25
读取速度,GB/s
11.6
16.0
写入速度,GB/s
7.3
11.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2544
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
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