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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
41
左右 -105% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
20
读取速度,GB/s
11.6
17.0
写入速度,GB/s
7.3
8.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2503
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
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