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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
27
读取速度,GB/s
11.6
16.2
写入速度,GB/s
7.3
12.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2902
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
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