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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
41
左右 -105% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
20
读取速度,GB/s
11.6
18.4
写入速度,GB/s
7.3
14.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3540
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
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