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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
24.1
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
11.6
24.1
写入速度,GB/s
7.3
16.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
4001
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
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