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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Kingston 9905701-006.A00G 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.6
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
11.6
11.1
写入速度,GB/s
7.3
13.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2848
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
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